IPI320N20N3GAKSA1

IPI320N20N3GAKSA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPI320N20N3GAKSA1
LIXINC Part # IPI320N20N3GAKSA1
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPI320N20N3GAKSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPI320N20N3GAKSA1 Технические характеристики

номер части:IPI320N20N3GAKSA1
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:OptiMOS™
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):200 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:34A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:32mOhm @ 34A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 90µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:29 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2.35 pF @ 100 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):136W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Through Hole
пакет устройств поставщика:PG-TO262-3
упаковка / чехол:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SSM3K44FS,LF SSM3K44FS,LF MOSFET N-CH 30V 100MA SSM 996

Подробнее о заказе

ATP106-TL-H ATP106-TL-H MOSFET P-CH 40V 30A ATPAK 4394

Подробнее о заказе

NTPF110N65S3HF NTPF110N65S3HF MOSFET N-CH 650V 30A TO220FP 1510

Подробнее о заказе

SI4630DY-T1-GE3 SI4630DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 25V 40A 8SO 2353

Подробнее о заказе

SIR624DP-T1-GE3 SIR624DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8 8610

Подробнее о заказе

IPD60R360CFD7ATMA1 IPD60R360CFD7ATMA1 MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3-313 878

Подробнее о заказе

SIHD2N80AE-GE3 SIHD2N80AE-GE3 MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK 3987

Подробнее о заказе

IRFPS3810PBF IRFPS3810PBF MOSFET N-CH 100V 170A SUPER-247 1929

Подробнее о заказе

IRF7473TRPBF IRF7473TRPBF MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO 3558

Подробнее о заказе

IXFP22N65X2M IXFP22N65X2M MOSFET N-CH 650V 22A TO220 835

Подробнее о заказе

IRF3808PBF IRF3808PBF MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB 1326

Подробнее о заказе

NP89N04PUK-E1-AY NP89N04PUK-E1-AY MOSFET N-CH 40V 90A TO263 999

Подробнее о заказе

SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 MOSFET P-CH 30V 50A TO252-5 3968

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 13265 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.37000$1.37
500$1.37000$685

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top