Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPB80N06S407ATMA2

IPB80N06S407ATMA2
Увеличить

Только для справки

номер части IPB80N06S407ATMA2
LIXINC Part # IPB80N06S407ATMA2
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3-2
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB80N06S407ATMA2 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB80N06S407ATMA2 Технические характеристики

номер части:IPB80N06S407ATMA2
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:-
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 40µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:56 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:4.5 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):79W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-3-2
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB80N06S407ATMA2 Документы

if IPB80N06S407ATMA2 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

MTM981400BBF MTM981400BBF MOSFET P-CH 40V 7A SO8-F1-B 2479

Подробнее о заказе
IRFI9620GPBF IRFI9620GPBF MOSFET P-CH 200V 3A TO220-3 1354

Подробнее о заказе
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 MOSFET N-CH 75V 100A TDSON 1454

Подробнее о заказе
R6009JND3TL1 R6009JND3TL1 MOSFET N-CH 600V 9A TO252 3562

Подробнее о заказе
IPB80N06S2H5ATMA1 IPB80N06S2H5ATMA1 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3-2 13322

Подробнее о заказе
AUIRF3205ZSTRL AUIRF3205ZSTRL MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 1791

Подробнее о заказе
BSS119NH7796 BSS119NH7796 SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 87159

Подробнее о заказе
TK6A55DA(STA4,Q,M) TK6A55DA(STA4,Q,M) MOSFET N-CH 550V 5.5A TO220SIS 854

Подробнее о заказе
FDY100PZ FDY100PZ MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3 1240375947

Подробнее о заказе
NVMFS5885NLT1G NVMFS5885NLT1G MOSFET N-CH 60V 10.2A 5DFN 1724

Подробнее о заказе
FDP75N08A FDP75N08A MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3 1540

Подробнее о заказе
IXFH96N15P IXFH96N15P MOSFET N-CH 150V 96A TO247AD 832

Подробнее о заказе
IPD90N10S406ATMA1 IPD90N10S406ATMA1 MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3 851

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11664 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.58000$0.58
1000$0.58000$580

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top