NVMFS5C645NLAFT1G

NVMFS5C645NLAFT1G
Увеличить

Только для справки

номер части NVMFS5C645NLAFT1G
LIXINC Part # NVMFS5C645NLAFT1G
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD NVMFS5C645NLAFT1G След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NVMFS5C645NLAFT1G Технические характеристики

номер части:NVMFS5C645NLAFT1G
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:Automotive, AEC-Q101
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:22A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:34 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2200 pF @ 50 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):3.7W (Ta), 79W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
упаковка / чехол:8-PowerTDFN, 5 Leads

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SI2325DS-T1-GE3 SI2325DS-T1-GE3 MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3 3278

Подробнее о заказе

DMN3009SFGQ-13 DMN3009SFGQ-13 MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333 801

Подробнее о заказе

SI4464DY-T1-GE3 SI4464DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO 7060

Подробнее о заказе

APT10M11JVRU3 APT10M11JVRU3 MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 821

Подробнее о заказе

STP7N95K3 STP7N95K3 MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220-3 1686

Подробнее о заказе

NTE2371 NTE2371 MOSFET P-CHANNEL 100V 19A TO220 1239

Подробнее о заказе

STFI10N65K3 STFI10N65K3 MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP 950

Подробнее о заказе

BUK6212-40C,118-NEX BUK6212-40C,118-NEX MOSFET N-CH 40V 50A DPAK 883

Подробнее о заказе

2N7002KT7G 2N7002KT7G MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3 837

Подробнее о заказе

IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK 1739

Подробнее о заказе

IXFH60N50P3 IXFH60N50P3 MOSFET N-CH 500V 60A TO247AD 1119

Подробнее о заказе

AUIRFS4127TRL AUIRFS4127TRL MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK 5624

Подробнее о заказе

IPU95R3K7P7AKMA1 IPU95R3K7P7AKMA1 MOSFET N-CH 950V 2A TO251-3 2408

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10802 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.17000$1.17
1500$1.17000$1755

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top