Только для справки
| номер части | IPW65R080CFDAFKSA1 |
| LIXINC Part # | IPW65R080CFDAFKSA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPW65R080CFDAFKSA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPW65R080CFDAFKSA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 650 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 43.3A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 80mOhm @ 17.6A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4.5V @ 1.76mA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 161 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 4440 pF @ 100 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 391W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO247-3 |
| упаковка / чехол: | TO-247-3 |
| ISL9N315AD3 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 16852 Подробнее о заказе |
|
| SIHD7N60ET4-GE3 | MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA | 959 Подробнее о заказе |
|
| BUK7510-55AL127 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 5745 Подробнее о заказе |
|
| STP80NF03L-04 | MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB | 3092 Подробнее о заказе |
|
| IPU80R3K3P7AKMA1 | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3 | 18814 Подробнее о заказе |
|
| IXFH12N100Q | MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD | 976 Подробнее о заказе |
|
| FDN339AN | MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3 | 1021 Подробнее о заказе |
|
| IXTT8P50 | MOSFET P-CH 500V 8A TO268 | 1428 Подробнее о заказе |
|
| FDD6796A | MOSFET N-CH 25V 20A/40A TO252 | 750661 Подробнее о заказе |
|
| IRFR7540TRLPBF | HEXFET POWER MOSFET | 802 Подробнее о заказе |
|
| IRF6717MTRPBF | MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET | 23689 Подробнее о заказе |
|
| IRF6215STRLPBF | MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK | 929 Подробнее о заказе |
|
| TK40A06N1,S4X | MOSFET N-CH 60V 40A TO220SIS | 970 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11600 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $11.95000 | $11.95 |
| 10 | $10.83209 | $108.3209 |
| 240 | $9.04415 | $2170.596 |
| 720 | $7.70278 | $5546.0016 |
| 1200 | $6.80852 | $8170.224 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.