BSC094N06LS5ATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC094N06LS5ATMA1 | BSC094N06LS5ATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC094N06LS5ATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	BSC094N06LS5ATMA1
LIXINC Part #	BSC094N06LS5ATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CHANNEL 60V 47A 8TDSON
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BSC094N06LS5ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BSC094N06LS5ATMA1 Технические характеристики

номер части:	BSC094N06LS5ATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	47A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	9.4mOhm @ 24A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.3V @ 14µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	9.4 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1300 pF @ 30 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	36W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TDSON-8-6
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN

DMN62D0UWQ-7	MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323	935 Подробнее о заказе
FDS6680AS	MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC	3262 Подробнее о заказе
IXTP16N50P	MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB	301673 Подробнее о заказе
TK25E60X,S1X	MOSFET N-CH 600V 25A TO220	936 Подробнее о заказе
IPD70R360P7SAUMA1	MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3	6352 Подробнее о заказе
UF3C120080K4S	SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4	1256 Подробнее о заказе
HUF76013D3S	MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA	2106 Подробнее о заказе
BUK752R3-40C,127	PFET, 100A I(D), 40V, 0.0023OHM,	2048 Подробнее о заказе
2N7002BKV/DG/B2115	N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET	68966 Подробнее о заказе
MGSF3433VT1-ON	PFET TSOP6S 20V 0.098R TR	36847 Подробнее о заказе
FQD8P10TM	MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK	868 Подробнее о заказе
SQM40N10-30_GE3	MOSFET N-CH 100V 40A TO263	1699 Подробнее о заказе
PHP45NQ10T,127	MOSFET N-CH 100V 47A TO220AB	2126 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.08000	$1.08
5000	$0.45377	$2268.85

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015