G3R350MT12J | GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J | G3R350MT12J Inventory, Best Pricing

G3R350MT12J

Увеличить

Только для справки

номер части	G3R350MT12J
LIXINC Part #	G3R350MT12J
Производитель	GeneSiC Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	G3R350MT12J След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

G3R350MT12J Технические характеристики

номер части:	G3R350MT12J
Бренд:	GeneSiC Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	GeneSiC Semiconductor
ряд:	G3R™
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	SiCFET (Silicon Carbide)
напряжение сток-исток (vdss):	1200 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	11A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	15V
rds on (max) @ id, vgs:	420mOhm @ 4A, 15V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.69V @ 2mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	12 nC @ 15 V
ВГС (макс.):	±15V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	334 pF @ 800 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	75W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	TO-263-7
упаковка / чехол:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$5.90000	$5.9

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015