Только для справки
| номер части | FDP14AN06LA0 |
| LIXINC Part # | FDP14AN06LA0 |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO220-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FDP14AN06LA0 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FDP14AN06LA0 |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | PowerTrench® |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 60 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 10A (Ta), 67A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 11.6mOhm @ 67A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 31 nC @ 5 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 2.9 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 125W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | TO-220-3 |
| упаковка / чехол: | TO-220-3 |
| RRH090P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP | 3033 Подробнее о заказе |
|
| IPI90R340C3XKSA1 | MOSFET N-CH 900V 15A TO262-3 | 1352 Подробнее о заказе |
|
| IPP60R750E6XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220-3 | 1000 Подробнее о заказе |
|
| APT50M65LFLLG | MOSFET N-CH 500V 67A TO264 | 915 Подробнее о заказе |
|
| IRF2807PBF | MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB | 931 Подробнее о заказе |
|
| RZR040P01TL | MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3 | 10772 Подробнее о заказе |
|
| IPS70R600P7SAKMA1 | MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3 | 2535 Подробнее о заказе |
|
| SQJ860EP-T1_GE3 | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 | 13473 Подробнее о заказе |
|
| IPD60R280P7SE8228AUMA1 | MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3 | 950 Подробнее о заказе |
|
| IPP60R170CFD7XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3 | 997 Подробнее о заказе |
|
| IPI60R299CPXKSA1 | MOSFET N-CH 600V 11A TO262-3 | 15984 Подробнее о заказе |
|
| ISP25DP06LMXTSA1 | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4 | 2890 Подробнее о заказе |
|
| MTB29N15ET4 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 48050 Подробнее о заказе |
| В наличии | 15453 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.78000 | $2.78 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.