Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSZ065N03LSATMA1

BSZ065N03LSATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSZ065N03LSATMA1
LIXINC Part # BSZ065N03LSATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSZ065N03LSATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSZ065N03LSATMA1 Технические характеристики

номер части:BSZ065N03LSATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:12A (Ta), 40A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:6.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:10 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:670 pF @ 15 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.1W (Ta), 26W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TSDSON-8-FL
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

BSZ065N03LSATMA1 Документы

if BSZ065N03LSATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

AOB190A60CL AOB190A60CL MOSFET N-CH 600V 20A TO263 877

Подробнее о заказе
R6020FNX R6020FNX MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM 1444

Подробнее о заказе
SIHG20N50E-GE3 SIHG20N50E-GE3 MOSFET N-CH 500V 19A TO247AC 931

Подробнее о заказе
TPH8R008NH,L1Q TPH8R008NH,L1Q MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP 5894

Подробнее о заказе
IXFA110N15T2 IXFA110N15T2 MOSFET N-CH 150V 110A TO263 91747

Подробнее о заказе
TK62J60W,S1VQ TK62J60W,S1VQ MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P 980

Подробнее о заказе
IRFIB41N15DPBF IRFIB41N15DPBF HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET 2178

Подробнее о заказе
BSH111BKR BSH111BKR MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB 2470

Подробнее о заказе
AUIRF7416QTR AUIRF7416QTR PFET, 10A I(D), 30V, 0.02OHM, 1O 4818

Подробнее о заказе
BSZ075N08NS5ATMA1 BSZ075N08NS5ATMA1 MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON 959

Подробнее о заказе
DMN24H3D5L-13 DMN24H3D5L-13 MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23 959

Подробнее о заказе
SI2312BDS-T1-E3 SI2312BDS-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 14600

Подробнее о заказе
IPB020N04NGATMA1 IPB020N04NGATMA1 MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7-3 32692

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 28885 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.83000$0.83
5000$0.31204$1560.2
10000$0.30048$3004.8
25000$0.29418$7354.5

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top