Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD30N06S2L23ATMA3

IPD30N06S2L23ATMA3
Увеличить

Только для справки

номер части IPD30N06S2L23ATMA3
LIXINC Part # IPD30N06S2L23ATMA3
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD30N06S2L23ATMA3 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD30N06S2L23ATMA3 Технические характеристики

номер части:IPD30N06S2L23ATMA3
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):55 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:30A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:23mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 50µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:42 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1091 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):100W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3-11
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD30N06S2L23ATMA3 Документы

if IPD30N06S2L23ATMA3 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

STP10N95K5 STP10N95K5 MOSFET N-CH 950V 8A TO220 877

Подробнее о заказе
TK9A60D(STA4,Q,M) TK9A60D(STA4,Q,M) MOSFET N-CH 600V 9A TO220SIS 941

Подробнее о заказе
NTTFS4C02NTAG NTTFS4C02NTAG MOSFET N-CH 30V 170A 8WDFN 818

Подробнее о заказе
FQPF15P12 FQPF15P12 MOSFET P-CH 120V 15A TO220F 1409

Подробнее о заказе
SI2318A-TP SI2318A-TP MOSFET N-CH SOT23-3 21894

Подробнее о заказе
PMPB10XNE,115 PMPB10XNE,115 MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6 896

Подробнее о заказе
MMBF170LT3 MMBF170LT3 MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3 911

Подробнее о заказе
APT34M60S/TR APT34M60S/TR MOSFET N-CH 600V 36A D3PAK 826

Подробнее о заказе
IPS70R950CEAKMA1 IPS70R950CEAKMA1 MOSFET N-CH 700V 7.4A TO251 802

Подробнее о заказе
SI3441DV SI3441DV P-CHANNEL MOSFET 44858

Подробнее о заказе
PCP1403-TD-H PCP1403-TD-H MOSFET N-CH 60V 4.5A SOT89/PCP-1 1645

Подробнее о заказе
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 36708

Подробнее о заказе
SQJ481EP-T1_GE3 SQJ481EP-T1_GE3 MOSFET P-CH 80V 16A PPAK SO-8 3867

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10998 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.08000$1.08
2500$0.44746$1118.65
5000$0.42509$2125.45
12500$0.40911$5113.875
25000$0.40679$10169.75

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top