Только для справки
| номер части | CSD25213W10 |
| LIXINC Part # | CSD25213W10 |
| Производитель | Texas Instruments |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | CSD25213W10 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | CSD25213W10 |
| Бренд: | Texas Instruments |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Texas Instruments |
| ряд: | NexFET™ |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | P-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 20 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 1.6A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 2.5V, 4.5V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 47mOhm @ 1A, 4.5V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 1.1V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 2.9 nC @ 4.5 V |
| ВГС (макс.): | -6V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 478 pF @ 10 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 1W (Ta) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | 4-DSBGA (1x1) |
| упаковка / чехол: | 4-UFBGA, DSBGA |
| BUK9M9R5-40HX | MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33 | 2320 Подробнее о заказе |
|
| R6004KNX | MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM | 1353 Подробнее о заказе |
|
| IPD65R660CFD | IPD65R660 - 650V AND 700V COOLMO | 1646 Подробнее о заказе |
|
| RCJ081N20TL | MOSFET N-CH 200V 8A LPTS | 1766 Подробнее о заказе |
|
| PSMN1R5-30YLC,115 | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 | 1289 Подробнее о заказе |
|
| RSD100N10TL | MOSFET N-CH 100V 10A CPT3 | 910 Подробнее о заказе |
|
| NVMFS5826NLT1G | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 | 4667 Подробнее о заказе |
|
| NVMFS4C03NWFT3G | MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN | 893 Подробнее о заказе |
|
| NVD14N03RT4G | N-CHANNEL POWER MOSFET | 35380 Подробнее о заказе |
|
| NTMS7N03R2G | MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC | 2853 Подробнее о заказе |
|
| PMZB290UNE2YL | MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3 | 909 Подробнее о заказе |
|
| FKI06051 | MOSFET N-CH 60V 69A TO220F | 843 Подробнее о заказе |
|
| AOI380A60C | MOSFET N-CH 600V 11A TO251A | 838 Подробнее о заказе |
| В наличии | 18509 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.47000 | $0.47 |
| 3000 | $0.13270 | $398.1 |
| 6000 | $0.12465 | $747.9 |
| 15000 | $0.11661 | $1749.15 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.