BSS84XHZGG2CR | ROHM Semiconductor BSS84XHZGG2CR | BSS84XHZGG2CR Inventory, Best Pricing

BSS84XHZGG2CR

Увеличить

Только для справки

номер части	BSS84XHZGG2CR
LIXINC Part #	BSS84XHZGG2CR
Производитель	ROHM Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BSS84XHZGG2CR След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BSS84XHZGG2CR Технические характеристики

номер части:	BSS84XHZGG2CR
Бренд:	ROHM Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	ROHM Semiconductor
ряд:	Automotive, AEC-Q101
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	230mA (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	-
rds on (max) @ id, vgs:	5.3Ohm @ 230mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 100µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	-
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	34 pF @ 30 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	1W (Ta)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	DFN1010-3W
упаковка / чехол:	3-XFDFN

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.53000	$0.53

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015