Только для справки
| номер части | PMPB10XNEZ |
| LIXINC Part # | PMPB10XNEZ |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | PMPB10XNE - 20 V, SINGLE N-CHANN |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | PMPB10XNEZ След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | PMPB10XNEZ |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | - |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 20 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 9A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 1.8V, 4.5V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 14mOhm @ 9A, 4.5V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 900mV @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 34 nC @ 4.5 V |
| ВГС (макс.): | ±12V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 2.175 pF @ 10 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | DFN2020MD-6 |
| упаковка / чехол: | 6-UDFN Exposed Pad |
| FQPF8N60CYDTU | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F-3 | 2817 Подробнее о заказе |
|
| IPW65R280E6FKSA1 | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3 | 1537 Подробнее о заказе |
|
| IPI023NE7N3 G | MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3 | 2325 Подробнее о заказе |
|
| NTLUF4189NZTBG | MOSFET N-CH 30V 1.2A 6UDFN | 455741 Подробнее о заказе |
|
| SISA88DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK | 31282 Подробнее о заказе |
|
| NVD5890NT4G | 24A, 40V, 0.0037OHM, N-CHANNEL, | 3497 Подробнее о заказе |
|
| DMTH10H025LPSQ-13 | MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 | 823 Подробнее о заказе |
|
| RM7N600IP | MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO251 | 918 Подробнее о заказе |
|
| STD110N8F6 | MOSFET N-CH 80V 80A DPAK | 2747 Подробнее о заказе |
|
| FQB3N30TM | MOSFET N-CH 300V 3.2A D2PAK | 3926 Подробнее о заказе |
|
| STS5NF60L | MOSFET N-CH 60V 5A 8SO | 860 Подробнее о заказе |
|
| BUK9Y12-100E,115 | MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56 | 826 Подробнее о заказе |
|
| APT10M11JVFR | MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP | 883 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10953 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.10000 | $0.1 |
| 3000 | $0.04611 | $138.33 |
| 6000 | $0.04352 | $261.12 |
| 15000 | $0.04092 | $613.8 |
| 30000 | $0.03911 | $1173.3 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.