FDP2D9N12C | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDP2D9N12C

FDP2D9N12C

Увеличить

Только для справки

номер части	FDP2D9N12C
LIXINC Part #	FDP2D9N12C
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	PTNG 120V N-FET TO220
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FDP2D9N12C След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FDP2D9N12C Технические характеристики

номер части:	FDP2D9N12C
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	PowerTrench®
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	120 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	18A (Ta), 210A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	2.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 686µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	109 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	8894 pF @ 60 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2.4W (Ta), 333W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	TO-220-3
упаковка / чехол:	TO-220-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$4.82703	$4.82703

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015