IPB80P04P4L04ATMA2

IPB80P04P4L04ATMA2
Увеличить

Только для справки

номер части IPB80P04P4L04ATMA2
LIXINC Part # IPB80P04P4L04ATMA2
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB80P04P4L04ATMA2 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB80P04P4L04ATMA2 Технические характеристики

номер части:IPB80P04P4L04ATMA2
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS®-P2
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:P-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:4.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:176 nC @ 10 V
ВГС (макс.):+5V, -16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:11570 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):125W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-3-2
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Продукты, которые могут вас заинтересовать

RM4N700S4 RM4N700S4 MOSFET N-CH 700V 4A SOT223-2 984

Подробнее о заказе

IRFAE42 IRFAE42 N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET 941

Подробнее о заказе

BUK9217-75B,118 BUK9217-75B,118 MOSFET N-CH 75V 64A DPAK 1030

Подробнее о заказе

AOSS21311C AOSS21311C MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3 987

Подробнее о заказе

STH10N80K5-2AG STH10N80K5-2AG MOSFET N-CH 800V 8A H2PAK-2 991

Подробнее о заказе

SUP70030E-GE3 SUP70030E-GE3 MOSFET N-CH 100V 150A TO220AB 1606

Подробнее о заказе

IRFZ48SPBF IRFZ48SPBF MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK 1888

Подробнее о заказе

SSM6J507NU,LF SSM6J507NU,LF MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB 34054

Подробнее о заказе

IPW60R280C6 IPW60R280C6 MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3 1055

Подробнее о заказе

C3M0021120D C3M0021120D SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3 862

Подробнее о заказе

AUIRLU3110Z AUIRLU3110Z MOSFET N-CH 100V 42A IPAK 987

Подробнее о заказе

SIA436DJ-T1-GE3 SIA436DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6 36874

Подробнее о заказе

AOWF360A70 AOWF360A70 MOSFET N-CH 700V 12A TO262F 1865

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11955 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.57000$2.57

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top