IPL65R1K0C6SATMA1 | Rochester Electronics IPL65R1K0C6SATMA1 | IPL65R1K0C6SATMA1 Inventory, Best Pricing

IPL65R1K0C6SATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPL65R1K0C6SATMA1
LIXINC Part #	IPL65R1K0C6SATMA1
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 650V 4.2A THIN-PAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPL65R1K0C6SATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPL65R1K0C6SATMA1 Технические характеристики

номер части:	IPL65R1K0C6SATMA1
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	CoolMOS™ C6
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	4.2A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	1Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 150µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	15 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	328 pF @ 100 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	34.7W (Tc)
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	Thin-PAK (5x6)
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN

IPP80N04S303AKSA1	MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3	1360 Подробнее о заказе
STD2N95K5	MOSFET N-CH 950V 2A DPAK	1226 Подробнее о заказе
DMT6004SCT	MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3	944 Подробнее о заказе
IRLMS6702TRPBF	MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO6	2905 Подробнее о заказе
STW28N60DM2	MOSFET N-CH 600V 21A TO247	1489 Подробнее о заказе
NVMTS0D4N04CLTXG	MOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW	992 Подробнее о заказе
FDG316P	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI	222058 Подробнее о заказе
FDD5N50UTM-WS	MOSFET N-CH 500V 3A DPAK	846 Подробнее о заказе
SUM110P06-08L-E3	MOSFET P-CH 60V 110A TO263	5142 Подробнее о заказе
BTS282ZE3180ANTMA1	N-CHANNEL POWER MOSFET	84968 Подробнее о заказе
SQS414CENW-T1_GE3	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)	937 Подробнее о заказе
RQ5E050ATTCL	MOSFET P-CH 30V 5A TSMT3	8821 Подробнее о заказе
SQ4840EY-T1_BE3	MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SOIC	3449 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.49000	$0.49
5000	$0.49000	$2450

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015