FDB120N10

FDB120N10
Увеличить

Только для справки

номер части FDB120N10
LIXINC Part # FDB120N10
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FDB120N10 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDB120N10 Технические характеристики

номер части:FDB120N10
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:PowerTrench®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:74A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:12mOhm @ 74A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:86 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:5605 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):170W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:D²PAK
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Продукты, которые могут вас заинтересовать

PMZB600UNE315 PMZB600UNE315 SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 600379

Подробнее о заказе

IRFB3207PBF IRFB3207PBF MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB 1298

Подробнее о заказе

NVMFS5C682NLAFT3G NVMFS5C682NLAFT3G MOSFET N-CH 60V 8.8A/25A 5DFN 839

Подробнее о заказе

IPP80P03P4L04AKSA1 IPP80P03P4L04AKSA1 MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3 896

Подробнее о заказе

SI3127DV-T1-GE3 SI3127DV-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP 4619

Подробнее о заказе

IPD30N10S3L34ATMA1 IPD30N10S3L34ATMA1 MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3 3070

Подробнее о заказе

IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31 5748

Подробнее о заказе

SIHG23N60E-GE3 SIHG23N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC 1259

Подробнее о заказе

TK35E08N1,S1X TK35E08N1,S1X MOSFET N-CH 80V 55A TO220 956

Подробнее о заказе

DMTH4005SK3Q-13 DMTH4005SK3Q-13 MOSFET N-CH 40V 95A TO252 23863310

Подробнее о заказе

BUK952R3-40E,127 BUK952R3-40E,127 MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB 932

Подробнее о заказе

DMP3125L-13 DMP3125L-13 MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23 T&R 30887

Подробнее о заказе

APT10026L2FLLG APT10026L2FLLG MOSFET N-CH 1000V 38A 264 MAX 1135

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11570 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$3.14000$3.14
800$1.84140$1473.12
1600$1.71864$2749.824
2400$1.63270$3918.48
5600$1.57133$8799.448

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top