Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPP60R299CPXKSA1

IPP60R299CPXKSA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPP60R299CPXKSA1
LIXINC Part # IPP60R299CPXKSA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPP60R299CPXKSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPP60R299CPXKSA1 Технические характеристики

номер части:IPP60R299CPXKSA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:CoolMOS™
упаковка:Tube
статус детали:Not For New Designs
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:11A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:299mOhm @ 6.6A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.5V @ 440µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:29 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1100 pF @ 100 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):96W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Through Hole
пакет устройств поставщика:PG-TO220-3
упаковка / чехол:TO-220-3

IPP60R299CPXKSA1 Документы

if IPP60R299CPXKSA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

TJ80S04M3L(T6L1,NQ TJ80S04M3L(T6L1,NQ MOSFET P-CH 40V 80A DPAK 856

Подробнее о заказе
DI110N03PQ DI110N03PQ MOSFET N-CH 30V 110A 8QFN 5830

Подробнее о заказе
G2R1000MT33J G2R1000MT33J SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7 2037

Подробнее о заказе
ISL9N312AD3ST_NL ISL9N312AD3ST_NL N-CHANNEL POWER MOSFET 885

Подробнее о заказе
NTMFS5C423NLT1G NTMFS5C423NLT1G MOSFET N-CH 40V 5DFN 1723

Подробнее о заказе
IRFI630BTU IRFI630BTU N-CHANNEL POWER MOSFET 4349

Подробнее о заказе
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK 1545

Подробнее о заказе
EPC2032 EPC2032 GANFET N-CH 100V 48A DIE 31945

Подробнее о заказе
PSMN005-30K,518 PSMN005-30K,518 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI 937

Подробнее о заказе
SI7113DN-T1-E3 SI7113DN-T1-E3 MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK 3628

Подробнее о заказе
UPA2790GR-E2-A UPA2790GR-E2-A P-CHANNEL POWER MOSFET 3365

Подробнее о заказе
IPA50R500CE IPA50R500CE MOSFET N-CH 500V 7.6A TO220-FP 1717

Подробнее о заказе
FQPF7N40 FQPF7N40 MOSFET N-CH 400V 4.6A TO220F 1464

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10945 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$3.14000$3.14
10$2.85513$28.5513
100$2.32688$232.688
500$1.84661$923.305
1000$1.55849$1558.49

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top