RQ6E080AJTCR | ROHM Semiconductor RQ6E080AJTCR | RQ6E080AJTCR Inventory, Best Pricing

RQ6E080AJTCR

Увеличить

Только для справки

номер части	RQ6E080AJTCR
LIXINC Part #	RQ6E080AJTCR
Производитель	ROHM Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	RQ6E080AJTCR След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

RQ6E080AJTCR Технические характеристики

номер части:	RQ6E080AJTCR
Бренд:	ROHM Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	ROHM Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	8A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	16.5mOhm @ 8A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.5V @ 2mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	16.2 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±12V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1810 pF @ 15 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	950mW (Ta)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	TSMT6 (SC-95)
упаковка / чехол:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.73000	$0.73

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015