Только для справки
| номер части | STB23NM50N |
| LIXINC Part # | STB23NM50N |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | STB23NM50N След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | STB23NM50N |
| Бренд: | STMicroelectronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | STMicroelectronics |
| ряд: | MDmesh™ II |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 500 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 17A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 190mOhm @ 8.5A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 45 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±25V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1330 pF @ 50 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 125W (Tc) |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | D2PAK |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| DMN6040SK3-13 | MOSFET N CH 60V 20A TO252 | 894 Подробнее о заказе |
|
| R8005ANJFRGTL | MOSFET N-CH 800V 5A LPTS | 2635 Подробнее о заказе |
|
| IPA60R180P7SXKSA1 | MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220 | 832 Подробнее о заказе |
|
| STB28N60M2 | MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK | 1025 Подробнее о заказе |
|
| NVD3055-150T4G-VF01 | MOSFET N-CH 60V 9A DPAK | 1925 Подробнее о заказе |
|
| IRF7805TRPBF | PFET, 30V, 0.011OHM, 1OXIDE SEMI | 12839 Подробнее о заказе |
|
| IXFK48N60Q3 | MOSFET N-CH 600V 48A TO264AA | 4063 Подробнее о заказе |
|
| RQ3E120BNTB | MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT | 986 Подробнее о заказе |
|
| AOB15S60L | MOSFET N-CH 600V 15A TO263 | 843 Подробнее о заказе |
|
| STL12N60M6 | MOSFET N-CH 600V 6.4A PWRFLAT HV | 929 Подробнее о заказе |
|
| SI4497DY-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 36A 8SO | 5343 Подробнее о заказе |
|
| FDS8813NZ | MOSFET N-CH 30V 18.5A 8SOIC | 1994 Подробнее о заказе |
|
| DMN5L06KQ-7 | MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23 | 9602 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10994 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $4.23000 | $4.23 |
| 1000 | $2.30173 | $2301.73 |
| 2000 | $2.19928 | $4398.56 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.