IPD30N03S2L10ATMA1

IPD30N03S2L10ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD30N03S2L10ATMA1
LIXINC Part # IPD30N03S2L10ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD30N03S2L10ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD30N03S2L10ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPD30N03S2L10ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:30A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:10mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 50µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:42 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1200 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):100W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IXTA3N120HV IXTA3N120HV MOSFET N-CH 1200V 3A TO263 926

Подробнее о заказе

2N7008-G 2N7008-G MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3 3625

Подробнее о заказе

NTD24N06LT4G NTD24N06LT4G MOSFET N-CH 60V 24A DPAK 950

Подробнее о заказе

MCH3377-TL-H MCH3377-TL-H MOSFET P-CH 20V 3A 3MCPH 237901

Подробнее о заказе

FDMC86248 FDMC86248 MOSFET N CH 150V 3.4A POWER33 838

Подробнее о заказе

FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA 1814

Подробнее о заказе

NTMFS4833NT3G NTMFS4833NT3G MOSFET N-CH 30V 16A/156A 5DFN 25940

Подробнее о заказе

AOU3N60 AOU3N60 MOSFET N-CH 600V 2.5A TO251-3 883

Подробнее о заказе

CEDM8001 TR PBFREE CEDM8001 TR PBFREE MOSFET P-CH 20V 100MA SOT883 2776918

Подробнее о заказе

MCH3484-TL-H MCH3484-TL-H MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70 959

Подробнее о заказе

IPI041N12N3GAKSA1 IPI041N12N3GAKSA1 MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3 983

Подробнее о заказе

FDPF085N10A FDPF085N10A MOSFET N-CH 100V 40A TO220F 1322

Подробнее о заказе

IRFH5004TRPBF IRFH5004TRPBF MOSFET N-CH 40V 28A/100A 8PQFN 4925

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10904 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.47915$0.47915
2500$0.40786$1019.65

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top