Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

SPI08N50C3XKSA1

SPI08N50C3XKSA1
Увеличить

Только для справки

номер части SPI08N50C3XKSA1
LIXINC Part # SPI08N50C3XKSA1
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 560V 7.6A TO262-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD SPI08N50C3XKSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SPI08N50C3XKSA1 Технические характеристики

номер части:SPI08N50C3XKSA1
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:CoolMOS™
упаковка:Tube
статус детали:Obsolete
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):560 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:7.6A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:600mOhm @ 4.6A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.9V @ 350µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:32 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:750 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):83W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Through Hole
пакет устройств поставщика:PG-TO262-3-1
упаковка / чехол:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

SPI08N50C3XKSA1 Документы

if SPI08N50C3XKSA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

TJ60S04M3L(T6L1,NQ TJ60S04M3L(T6L1,NQ MOSFET P-CH 40V 60A DPAK 934

Подробнее о заказе
SIHH070N60EF-T1GE3 SIHH070N60EF-T1GE3 MOSFET N-CH 600V 36A PPAK 8 X 8 3146

Подробнее о заказе
2N7002,215 2N7002,215 MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB 306351

Подробнее о заказе
SIDR680DP-T1-GE3 SIDR680DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK 3789

Подробнее о заказе
MCU60P06-TP MCU60P06-TP MOSFET P-CH 60V 60A DPAK 903

Подробнее о заказе
RQ5L015SPTL RQ5L015SPTL MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3 2133

Подробнее о заказе
IPP80R900P7XKSA1 IPP80R900P7XKSA1 MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3 831

Подробнее о заказе
DMN3026LVT-7 DMN3026LVT-7 MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26 9578

Подробнее о заказе
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 MOSFET N-CH 650V 26A D2PAK 986

Подробнее о заказе
IRFP450APBF IRFP450APBF MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 1005

Подробнее о заказе
SQD19P06-60L_GE3 SQD19P06-60L_GE3 MOSFET P-CH 60V 20A TO252 924

Подробнее о заказе
TSM2307CX RFG TSM2307CX RFG MOSFET P-CHANNEL 30V 3A SOT23 32371

Подробнее о заказе
IAUC90N10S5N062ATMA1 IAUC90N10S5N062ATMA1 MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8-34 987

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 15891 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.77000$0.77
500$0.77000$385

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top