TK3A60DA(Q,M) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK3A60DA(Q,M)

TK3A60DA(Q,M)

Увеличить

Только для справки

номер части	TK3A60DA(Q,M)
LIXINC Part #	TK3A60DA(Q,M)
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	TK3A60DA(Q,M) След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

TK3A60DA(Q,M) Технические характеристики

номер части:	TK3A60DA(Q,M)
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	π-MOSVII
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	2.5A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	2.8Ohm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4.4V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	9 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	380 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	30W (Tc)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	TO-220SIS
упаковка / чехол:	TO-220-3 Full Pack

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015