SSM3J35AMFV,L3F | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM3J35AMFV,L3F

SSM3J35AMFV,L3F

Увеличить

Только для справки

номер части	SSM3J35AMFV,L3F
LIXINC Part #	SSM3J35AMFV,L3F
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SSM3J35AMFV,L3F След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SSM3J35AMFV,L3F Технические характеристики

номер части:	SSM3J35AMFV,L3F
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	U-MOSVII
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	250mA (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	1.2V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1V @ 100µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	-
ВГС (макс.):	±10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	42 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	150mW (Ta)
Рабочая Температура:	150°C
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	VESM
упаковка / чехол:	SOT-723

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015