Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

TPN4R712MD,L1Q

TPN4R712MD,L1Q
Увеличить

Только для справки

номер части TPN4R712MD,L1Q
LIXINC Part # TPN4R712MD,L1Q
Производитель Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD TPN4R712MD,L1Q След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

TPN4R712MD,L1Q Технические характеристики

номер части:TPN4R712MD,L1Q
Бренд:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:U-MOSVI
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:P-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:36A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:4.7mOhm @ 18A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:1.2V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:65 nC @ 5 V
ВГС (макс.):±12V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:4300 pF @ 10 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):42W (Tc)
Рабочая Температура:150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:8-TSON Advance (3.3x3.3)
упаковка / чехол:8-PowerVDFN

TPN4R712MD,L1Q Документы

if TPN4R712MD,L1Q PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

DN2540N3-G DN2540N3-G MOSFET N-CH 400V 120MA TO92 2333

Подробнее о заказе
SI3456DDV-T1-GE3 SI3456DDV-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP 2957

Подробнее о заказе
DMT4004LPS-13 DMT4004LPS-13 MOSFET N-CH 40V 26A PWRDI5060 2766

Подробнее о заказе
FCD5N60TM FCD5N60TM MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK 148573434

Подробнее о заказе
FDS2070N7 FDS2070N7 MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO 16047

Подробнее о заказе
IPS70R2K0CEAKMA1 IPS70R2K0CEAKMA1 MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3 2603

Подробнее о заказе
IRFR120TRPBF IRFR120TRPBF MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK 996

Подробнее о заказе
STF42N60M2-EP STF42N60M2-EP MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP 5136

Подробнее о заказе
STB140NF55T4 STB140NF55T4 MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK 5426

Подробнее о заказе
IXTP24N65X2 IXTP24N65X2 MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB 951

Подробнее о заказе
IPP60R250CPXKSA1 IPP60R250CPXKSA1 MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3 5457

Подробнее о заказе
SIR440DP-T1-GE3 SIR440DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8 6314

Подробнее о заказе
DMN3009SFG-7 DMN3009SFG-7 MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333 1753

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 17410 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.80000$0.8
5000$0.28000$1400

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top