Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IAUT260N10S5N019ATMA1

IAUT260N10S5N019ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IAUT260N10S5N019ATMA1
LIXINC Part # IAUT260N10S5N019ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IAUT260N10S5N019ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка May 11 - May 15 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IAUT260N10S5N019ATMA1 Технические характеристики

номер части:IAUT260N10S5N019ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™-5
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:260A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:1.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.8V @ 210µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:166 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:11830 pF @ 50 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):300W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-HSOF-8-1
упаковка / чехол:8-PowerSFN

IAUT260N10S5N019ATMA1 Документы

if IAUT260N10S5N019ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

3LN01C-TB-E 3LN01C-TB-E MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP 899

Подробнее о заказе
SI7812DN-T1-GE3 SI7812DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8 4311

Подробнее о заказе
TQM250NB06CR RLG TQM250NB06CR RLG MOSFET N-CH 60V 7A/32A 8PDFNU 5951

Подробнее о заказе
BSS123 BSS123 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 387742

Подробнее о заказе
NVD4806NT4G NVD4806NT4G N-CHANNEL, MOSFET 40402

Подробнее о заказе
IXFT150N17T2 IXFT150N17T2 MOSFET N-CH 175V 150A TO268HV 1616

Подробнее о заказе
2SJ350 2SJ350 P-CHANNEL POWER MOSFET 1564

Подробнее о заказе
BSS138-F085 BSS138-F085 MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 3381

Подробнее о заказе
STP110N7F6 STP110N7F6 MOSFET N-CHANNEL 68V 110A TO220 2159

Подробнее о заказе
IPW65R065C7XKSA1 IPW65R065C7XKSA1 MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3 828

Подробнее о заказе
NTGS3455T1G NTGS3455T1G MOSFET P-CH 30V 2.5A 6TSOP 864

Подробнее о заказе
ZVN4206AVSTZ ZVN4206AVSTZ MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE 134312905

Подробнее о заказе
AOI442 AOI442 MOSFET N-CH 60V 7A/37A TO251A 924

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10937 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$6.56000$6.56
2000$3.00500$6010

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top