IPDD60R125CFD7XTMA1 | IR (Infineon Technologies) IPDD60R125CFD7XTMA1 | IPDD60R125CFD7XTMA1 Inventory, Best Pricing

IPDD60R125CFD7XTMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPDD60R125CFD7XTMA1
LIXINC Part #	IPDD60R125CFD7XTMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 600V 27A HDSOP-10
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPDD60R125CFD7XTMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPDD60R125CFD7XTMA1 Технические характеристики

номер части:	IPDD60R125CFD7XTMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	CoolMOS™ CFD7
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	27A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	-
rds on (max) @ id, vgs:	125mOhm @ 6.8A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4.5V @ 340µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	31 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1329 pF @ 400 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	176W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-HDSOP-10-1
упаковка / чехол:	10-PowerSOP Module

FQA9N90C-F109	MOSFET N-CH 900V 9A TO3P	980 Подробнее о заказе
DMNH6042SPS-13	MOSFET N-CH 60V 24A PWRDI5060-8	898 Подробнее о заказе
RCJ700N20TL	MOSFET N-CH 200V 70A LPTS	1653 Подробнее о заказе
IRF530PBF-BE3	MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB	1949 Подробнее о заказе
SVD14N03RT4G	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	200873 Подробнее о заказе
NTMFS5C404NLTT3G	MOSFET N-CH 40V 5DFN	821 Подробнее о заказе
DMT3003LFGQ-13	MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333	928 Подробнее о заказе
STP32N65M5	MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB	1288 Подробнее о заказе
RD3L220SNFRATL	MOSFET N-CH 60V 22A TO252	3365 Подробнее о заказе
FQPF7N10L	MOSFET N-CH 100V 5.5A TO220F	6885 Подробнее о заказе
AOB125A60L	MOSFET N-CH 600V 28A TO263	1588 Подробнее о заказе
STW13N95K3	MOSFET N-CH 950V 10A TO247-3	888 Подробнее о заказе
SISS08DN-T1-GE3	MOSFET N-CH 25V 53.9/195.5A PPAK	4692 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$4.39000	$4.39

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015