Только для справки
| номер части | FDMS7560S |
| LIXINC Part # | FDMS7560S |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FDMS7560S След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FDMS7560S |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | PowerTrench®, SyncFET™ |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 25 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 30A (Ta), 49A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 1.45mOhm @ 30A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3V @ 1mA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 93 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 5.945 pF @ 13 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 2.5W (Ta), 89W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | 8-PQFN (5x6) |
| упаковка / чехол: | 8-PowerTDFN |
| TSM033NA03CR RLG | MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN | 3175 Подробнее о заказе |
|
| IPI80N06S3-07 | MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 | 3420 Подробнее о заказе |
|
| FQPF19N20C | MOSFET N-CH 200V 19A TO220F | 1534 Подробнее о заказе |
|
| RSH065N06TB1 | MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP | 3193 Подробнее о заказе |
|
| IPP065N04NG | N-CHANNEL POWER MOSFET | 6811 Подробнее о заказе |
|
| IPS65R1K5CEAKMA1 | MOSFET N-CH 650V 3.1A TO251 | 868 Подробнее о заказе |
|
| STW26N60M2 | MOSFET N-CH 600V 20A TO247 | 930 Подробнее о заказе |
|
| SISS06DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 47.6/172.6A PPAK | 8784 Подробнее о заказе |
|
| STW11NM80 | MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3 | 1415 Подробнее о заказе |
|
| NTD4863N-1G | MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A IPAK | 9294 Подробнее о заказе |
|
| PSMN4R3-100ES,127 | TRANSISTOR >30MHZ | 947 Подробнее о заказе |
|
| IXFH110N25T | MOSFET N-CH 250V 110A TO247AD | 818 Подробнее о заказе |
|
| IXFH180N20X3 | MOSFET N-CH 200V 180A TO247 | 412128 Подробнее о заказе |
| В наличии | 14345 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.59000 | $0.59 |
| 3000 | $0.59000 | $1770 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.