IPD50N04S309ATMA1

IPD50N04S309ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD50N04S309ATMA1
LIXINC Part # IPD50N04S309ATMA1
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD50N04S309ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD50N04S309ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPD50N04S309ATMA1
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:OptiMOS™
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:50A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 28µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:26 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1.75 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):63W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Продукты, которые могут вас заинтересовать

CEDM8004VL TR PBFREE CEDM8004VL TR PBFREE MOSFET P-CH 30V 450MA SOT883VL 89128949

Подробнее о заказе

PSMNR70-30YLHX PSMNR70-30YLHX MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56 956

Подробнее о заказе

BSD316NL6327 BSD316NL6327 SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 902

Подробнее о заказе

SIHA240N60E-GE3 SIHA240N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 12A TO220 1957

Подробнее о заказе

IXTA10P50P-TRL IXTA10P50P-TRL MOSFET P-CH 500V 10A TO263 930

Подробнее о заказе

IPA80R1K0CEXKSA1 IPA80R1K0CEXKSA1 MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220 988

Подробнее о заказе

IPP60R380C6XKSA1 IPP60R380C6XKSA1 MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3 851

Подробнее о заказе

SI7463DP-T1-E3 SI7463DP-T1-E3 MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8 26806

Подробнее о заказе

DMTH41M8SPS-13 DMTH41M8SPS-13 MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8 841

Подробнее о заказе

NVMFS6H848NWFT1G NVMFS6H848NWFT1G MOSFET N-CH 80V 13A/57A 5DFN 2326

Подробнее о заказе

STP77N6F6 STP77N6F6 MOSFET N-CH 60V 77A TO220 991

Подробнее о заказе

APT10045B2LLG APT10045B2LLG MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX 996

Подробнее о заказе

IMW120R090M1HXKSA1 IMW120R090M1HXKSA1 SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3 1151

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11954 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.42000$0.42
2500$0.42000$1050

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top