IRF7779L2TRPBF | IR (Infineon Technologies) IRF7779L2TRPBF | IRF7779L2TRPBF Inventory, Best Pricing

IRF7779L2TRPBF

Увеличить

Только для справки

номер части	IRF7779L2TRPBF
LIXINC Part #	IRF7779L2TRPBF
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IRF7779L2TRPBF След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IRF7779L2TRPBF Технические характеристики

номер части:	IRF7779L2TRPBF
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	HEXFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	150 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	375A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	11mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	150 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	6660 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	3.3W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	DIRECTFET L8
упаковка / чехол:	DirectFET™ Isometric L8

IPW65R080CFDFKSA2	MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3	939 Подробнее о заказе
BSR92PH6327XTSA1	MOSFET P-CH 250V 140MA SC59	1569 Подробнее о заказе
AOD7S60	MOSFET N-CH 600V 7A TO252	5279 Подробнее о заказе
STW21N150K5	MOSFET N-CH 1500V 14A TO247	1967 Подробнее о заказе
ZDX130N50	MOSFET N-CH 500V 13A TO220FM	818 Подробнее о заказе
IXTA08N100D2-TRL	MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263	2427 Подробнее о заказе
SSM3K37CT,L3F	MOSFET N-CH 20V 200MA CST3	856 Подробнее о заказе
IPD70N03S4L04ATMA1	MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3	913 Подробнее о заказе
FDMS86104	N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE	15441 Подробнее о заказе
BSC670N25NSFDATMA1	MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1	9071 Подробнее о заказе
TSM15N50CZ C0G	MOSFET N-CHANNEL 500V 14A TO220	1767 Подробнее о заказе
IRFU120ATU	MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK	3395 Подробнее о заказе
FDMS0310S	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	9886 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$5.64000	$5.64
4000	$2.83070	$11322.8

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015