Только для справки
| номер части | TPW4R008NH,L1Q |
| LIXINC Part # | TPW4R008NH,L1Q |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | TPW4R008NH,L1Q След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | TPW4R008NH,L1Q |
| Бренд: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ряд: | U-MOSVIII-H |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 80 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 116A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 4mOhm @ 50A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 1mA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 59 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 5300 pF @ 40 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 800mW (Ta), 142W (Tc) |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | 8-DSOP Advance |
| упаковка / чехол: | 8-PowerVDFN |
| FDMS6681Z | MOSFET P-CH 30V 21.1A/49A 8PQFN | 880 Подробнее о заказе |
|
| NTD32N06L-001 | MOSFET N-CH 60V 32A IPAK | 5792 Подробнее о заказе |
|
| IXFA26N30X3 | MOSFET N-CH 300V 26A TO263AA | 2793622 Подробнее о заказе |
|
| DMT10H015LK3-13 | MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252 | 1135 Подробнее о заказе |
|
| STF33N60M2 | MOSFET N-CH 600V 26A TO220FP | 949 Подробнее о заказе |
|
| NTD4860N-1G | MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAK | 9445 Подробнее о заказе |
|
| SI1012-TP | MOSFET N-CH 20V 500MA SOT523 | 2015 Подробнее о заказе |
|
| STD10NM60ND | MOSFET N-CH 600V 8A DPAK | 1476 Подробнее о заказе |
|
| IRFZ48VSPBF | MOSFET N-CH 60V 72A D2PAK | 1744 Подробнее о заказе |
|
| IRFS4115-7PPBF | MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK | 907 Подробнее о заказе |
|
| DMN2022UFDF-13 | MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN | 10905 Подробнее о заказе |
|
| IPB120N04S4L02ATMA1 | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | 1806 Подробнее о заказе |
|
| BUK7M6R3-40EX | MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33 | 991 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11774 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.66000 | $2.66 |
| 5000 | $1.19284 | $5964.2 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.