Только для справки
| номер части | IRF620STRRPBF |
| LIXINC Part # | IRF620STRRPBF |
| Производитель | Vishay / Siliconix |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IRF620STRRPBF След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IRF620STRRPBF |
| Бренд: | Vishay / Siliconix |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Vishay / Siliconix |
| ряд: | - |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 200 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 5.2A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 800mOhm @ 3.1A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 14 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 260 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 3W (Ta), 50W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | D2PAK |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| TPCA8065-H,LQ(S | MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP | 801 Подробнее о заказе |
|
| RM12N100LD | MOSFET N-CH 100V 12A TO252-2 | 958 Подробнее о заказе |
|
| IRFI9610GPBF | MOSFET P-CH 200V 2A TO220-3 | 911 Подробнее о заказе |
|
| FDME510PZT | MOSFET P-CH 20V 6A MICROFET | 7658 Подробнее о заказе |
|
| RCX080N25 | MOSFET N-CH 250V 8A TO220FM | 1026 Подробнее о заказе |
|
| IXFH12N120P | MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD | 997 Подробнее о заказе |
|
| AUIRFR1018E-IR | PFET, 56A I(D), 60V, 0.0084OHM, | 5337 Подробнее о заказе |
|
| AO4485 | MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC | 9891 Подробнее о заказе |
|
| CSD18514Q5AT | MOSFET N-CH 40V 89A 8VSON | 33910904 Подробнее о заказе |
|
| GAN063-650WSAQ | GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3 | 1082 Подробнее о заказе |
|
| SI7309DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8 | 5981 Подробнее о заказе |
|
| BSP315PH6327XTSA1 | MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4 | 3209 Подробнее о заказе |
|
| IPB03N03LAG | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1860 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11746 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.14000 | $2.14 |
| 800 | $1.25828 | $1006.624 |
| 1600 | $1.16039 | $1856.624 |
| 2400 | $1.08508 | $2604.192 |
| 5600 | $1.04743 | $5865.608 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.