RFD16N05LSM9A | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor RFD16N05LSM9A

RFD16N05LSM9A

Увеличить

Только для справки

номер части	RFD16N05LSM9A
LIXINC Part #	RFD16N05LSM9A
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	RFD16N05LSM9A След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

RFD16N05LSM9A Технические характеристики

номер части:	RFD16N05LSM9A
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	50 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	16A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4V, 5V
rds on (max) @ id, vgs:	47mOhm @ 16A, 5V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 250mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	80 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	-
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	60W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	TO-252AA
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015