IPB120P04P4L03ATMA2

IPB120P04P4L03ATMA2
Увеличить

Только для справки

номер части IPB120P04P4L03ATMA2
LIXINC Part # IPB120P04P4L03ATMA2
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB120P04P4L03ATMA2 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB120P04P4L03ATMA2 Технические характеристики

номер части:IPB120P04P4L03ATMA2
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS®-P2
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:P-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:120A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:3.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.2V @ 340µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:234 nC @ 10 V
ВГС (макс.):+5V, -16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:15000 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):136W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-3-2
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Продукты, которые могут вас заинтересовать

CSD17322Q5A CSD17322Q5A MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON 923

Подробнее о заказе

IPD65R250C6XTMA1 IPD65R250C6XTMA1 MOSFET N-CH 650V 16.1A TO252-3 842

Подробнее о заказе

HUFA76445S3S HUFA76445S3S MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK 1377

Подробнее о заказе

STI6N62K3 STI6N62K3 MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAK 980

Подробнее о заказе

IPD78CN10NGATMA1 IPD78CN10NGATMA1 MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3 1896

Подробнее о заказе

BSZ018NE2LSIATMA1 BSZ018NE2LSIATMA1 MOSFET N-CH 25V 22A/40A TSDSON 4219

Подробнее о заказе

2SK2463T100 2SK2463T100 MOSFET N-CH 60V 2A MPT3 1956

Подробнее о заказе

SCT2080KEC SCT2080KEC SICFET N-CH 1200V 40A TO247 6122

Подробнее о заказе

FQD7P06TM FQD7P06TM MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK 87993473

Подробнее о заказе

RJK0394DPA-00#J5A RJK0394DPA-00#J5A MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK 96996

Подробнее о заказе

AOW125A60 AOW125A60 MOSFET N-CH 600V 28A TO262 1924

Подробнее о заказе

IPB031N08N5ATMA1 IPB031N08N5ATMA1 MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK 1377

Подробнее о заказе

5HN01M-TL-H 5HN01M-TL-H MOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP 97111

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11047 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$3.09000$3.09

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top