IPB180N06S4H1ATMA1 | Rochester Electronics IPB180N06S4H1ATMA1 | IPB180N06S4H1ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB180N06S4H1ATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPB180N06S4H1ATMA1
LIXINC Part #	IPB180N06S4H1ATMA1
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPB180N06S4H1ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPB180N06S4H1ATMA1 Технические характеристики

номер части:	IPB180N06S4H1ATMA1
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	180A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 200µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	270 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	21.9 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	250W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TO263-7-3
упаковка / чехол:	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

MTP1N50E	N-CHANNEL POWER MOSFET	2958 Подробнее о заказе
RJK1576DPA-00#J5A	MOSFET N-CH 150V 25A WPAK	898 Подробнее о заказе
APT6013JLL	MOSFET N-CH 600V 39A ISOTOP	828 Подробнее о заказе
IPP062NE7N3G	IPP062NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P	958 Подробнее о заказе
NVMFS5C404NLT1G	MOSFET N-CH 40V 49A/352A 5DFN	18663 Подробнее о заказе
IRF362	N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET	1130 Подробнее о заказе
BUK764R4-60E,118	MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK	1837 Подробнее о заказе
PHK5NQ15T518	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	7898 Подробнее о заказе
AON6278	MOSFET N-CH 80V 34A/85A 8DFN	1840 Подробнее о заказе
R5009FNJTL	MOSFET N-CH 500V 9A LPTS	1884 Подробнее о заказе
DMT10H015LCG-7	MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN	10847 Подробнее о заказе
DMN3025LFG-7	MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI	1825 Подробнее о заказе
IRF630A	N-CHANNEL POWER MOSFET	865 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.16000	$1.16
1000	$1.16000	$1160

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015