FQB11N40CTM

FQB11N40CTM
Увеличить

Только для справки

номер части FQB11N40CTM
LIXINC Part # FQB11N40CTM
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FQB11N40CTM След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FQB11N40CTM Технические характеристики

номер части:FQB11N40CTM
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:QFET®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):400 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:10.5A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:530mOhm @ 5.25A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:35 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1090 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):135W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:D²PAK (TO-263AB)
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SIHA20N50E-E3 SIHA20N50E-E3 MOSFET N-CH 500V 19A TO220 854

Подробнее о заказе

RQ6C050BCTCR RQ6C050BCTCR MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6 1213

Подробнее о заказе

FQP9N50 FQP9N50 MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3 4408

Подробнее о заказе

2SJ652-RA11 2SJ652-RA11 POWER MOSFET MOTOR DRIVERS 1966

Подробнее о заказе

SI7852DP-T1-GE3 SI7852DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8 4287

Подробнее о заказе

SI3458BDV-T1-GE3 SI3458BDV-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP 11749

Подробнее о заказе

SIDR140DP-T1-GE3 SIDR140DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 25V 79A/100A PPAK 3938

Подробнее о заказе

SPD01N60C3BTMA1 SPD01N60C3BTMA1 MOSFET N-CH 650V 800MA TO252-3 851

Подробнее о заказе

IPI70R950CEXKSA1 IPI70R950CEXKSA1 CONSUMER 903

Подробнее о заказе

NTMFS4925NT3G NTMFS4925NT3G MOSFET N-CH 30V 9.7A/48A 5DFN 5910

Подробнее о заказе

IPP120P04P404AKSA1 IPP120P04P404AKSA1 OPTIMOS P-CHANNEL POWER MOSFET 11944

Подробнее о заказе

IRFR3410PBF IRFR3410PBF MOSFET N-CH 100V 31A DPAK 860

Подробнее о заказе

BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 MOSFET P-CH 60V 620MA SC59 9268

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11157 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.68000$1.68
800$0.98805$790.44
1600$0.91075$1457.2
2400$0.85129$2043.096
5600$0.82156$4600.736

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top