NVD5117PLT4G | Rochester Electronics NVD5117PLT4G | NVD5117PLT4G Inventory, Best Pricing

NVD5117PLT4G

Увеличить

Только для справки

номер части	NVD5117PLT4G
LIXINC Part #	NVD5117PLT4G
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NVD5117PLT4G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NVD5117PLT4G Технические характеристики

номер части:	NVD5117PLT4G
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	Automotive, AEC-Q101
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	11A (Ta), 61A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	16mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	85 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	4.8 nF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	4.1W (Ta), 118W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	DPAK
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.15000	$1.15

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015