Только для справки
| номер части | IPB65R045C7ATMA2 |
| LIXINC Part # | IPB65R045C7ATMA2 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPB65R045C7ATMA2 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPB65R045C7ATMA2 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | CoolMOS™ C7 |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 650 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 46A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 45mOhm @ 24.9A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 1.25mA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 93 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 4340 pF @ 400 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 227W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO263-3 |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| STW36NM60ND | MOSFET N-CH 600V 29A TO247 | 909 Подробнее о заказе |
|
| ISP75DP06LMXTSA1 | MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT223-4 | 1709 Подробнее о заказе |
|
| RAF040P01TCL | MOSFET P-CH 12V 4A TUMT3 | 2615 Подробнее о заказе |
|
| 2SK3305-S-AZ | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1736 Подробнее о заказе |
|
| FQD24N08TF | MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK | 2877 Подробнее о заказе |
|
| RS1E301GNTB1 | MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOP | 3387 Подробнее о заказе |
|
| RF1K49157 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1897 Подробнее о заказе |
|
| IXFP10N80P | MOSFET N-CH 800V 10A TO220AB | 951 Подробнее о заказе |
|
| SIHG22N65E-GE3 | MOSFET N-CH 650V 22A TO247AC | 813 Подробнее о заказе |
|
| SIHF9630S-GE3 | MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK | 869 Подробнее о заказе |
|
| YJQ1216A-F1-1100HF | P-CH MOSFET 20V 16A DFN2020-6L-E | 924 Подробнее о заказе |
|
| FDB24AN06LA0 | MOSFET N-CH 60V 7.8A/40A TO263AB | 872 Подробнее о заказе |
|
| 2SK3480-AZ | MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB | 2287 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11127 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $12.16000 | $12.16 |
| 1000 | $7.99712 | $7997.12 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.