TPS1101DR | Texas Instruments TPS1101DR | TPS1101DR Inventory, Best Pricing

TPS1101DR

Увеличить

Только для справки

номер части	TPS1101DR
LIXINC Part #	TPS1101DR
Производитель	Texas Instruments
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	TPS1101DR След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

TPS1101DR Технические характеристики

номер части:	TPS1101DR
Бренд:	Texas Instruments
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Texas Instruments
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	15 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	2.3A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	2.7V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	90mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	11.25 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	+2V, -15V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	-
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	791mW (Ta)
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	8-SOIC
упаковка / чехол:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.15731	$1.15731
2500	$1.15731	$2893.275

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015