Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPB123N10N3GATMA1

IPB123N10N3GATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPB123N10N3GATMA1
LIXINC Part # IPB123N10N3GATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB123N10N3GATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB123N10N3GATMA1 Технические характеристики

номер части:IPB123N10N3GATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:58A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:12.3mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.5V @ 46µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:35 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2500 pF @ 50 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):94W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:D²PAK (TO-263AB)
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB123N10N3GATMA1 Документы

if IPB123N10N3GATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

ZVN0545ASTZ ZVN0545ASTZ MOSFET N-CH 450V 90MA E-LINE 855

Подробнее о заказе
RM21N650T7 RM21N650T7 MOSFET N-CHANNEL 650V 21A TO247 884

Подробнее о заказе
SIHB24N65E-GE3 SIHB24N65E-GE3 MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK 1965

Подробнее о заказе
NTMFS4937NCT1G NTMFS4937NCT1G MOSFET N-CH 30V 10.2A 5DFN 6935

Подробнее о заказе
APT20M38SVRG APT20M38SVRG MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK 1042

Подробнее о заказе
STL135N8F7AG STL135N8F7AG MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT 899

Подробнее о заказе
IXFX20N120P IXFX20N120P MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247-3 1002

Подробнее о заказе
NP36P06KDG-E1-AY NP36P06KDG-E1-AY MOSFET P-CH 60V 36A TO263 972

Подробнее о заказе
AUIRFB8407 AUIRFB8407 MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB 41237

Подробнее о заказе
RM35N30DF RM35N30DF MOSFET N-CHANNEL 30V 35A 8DFN 878

Подробнее о заказе
FDMS86202 FDMS86202 MOSFET N-CH 120V 13.5A POWER56 4632

Подробнее о заказе
IPI90R1K0C3 IPI90R1K0C3 N-CHANNEL POWER MOSFET 12860

Подробнее о заказе
2N7002E-7-F 2N7002E-7-F MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3 1584

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10938 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.83000$1.83
1000$0.90019$900.19
2000$0.83811$1676.22
5000$0.80707$4035.35
10000$0.79014$7901.4

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top