Только для справки
| номер части | IPP65R110CFDAAKSA1 |
| LIXINC Part # | IPP65R110CFDAAKSA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPP65R110CFDAAKSA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPP65R110CFDAAKSA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 650 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 31.2A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 110mOhm @ 12.7A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4.5V @ 1.3mA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 118 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 3240 pF @ 100 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 277.8W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO220-3 |
| упаковка / чехол: | TO-220-3 |
| IXFR64N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247 | 2847 Подробнее о заказе |
|
| AUIRF7647S2TR | MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET | 5601 Подробнее о заказе |
|
| SI7846DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 | 3572 Подробнее о заказе |
|
| AOY423 | MOSFET P-CH 30V 15A/70A TO251B | 951 Подробнее о заказе |
|
| STP26N60DM6 | MOSFET N-CH 600V 18A TO220 | 1066 Подробнее о заказе |
|
| FCP099N60E | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 7295 Подробнее о заказе |
|
| SSI4N60BTU | N-CHANNEL POWER MOSFET | 51063 Подробнее о заказе |
|
| AOB4S60L | MOSFET N-CH 600V 4A TO263 | 828 Подробнее о заказе |
|
| HUF75321D3ST | MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA | 1730 Подробнее о заказе |
|
| NDS9430A | MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SOIC | 14338 Подробнее о заказе |
|
| FDD4141-F085 | FDD4141_F085 - P-CHANNEL POWERTR | 11077 Подробнее о заказе |
|
| FDA24N50F | MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN | 802 Подробнее о заказе |
|
| IRFZ34PBF-BE3 | MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB | 1962 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11207 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $7.61000 | $7.61 |
| 10 | $6.79556 | $67.9556 |
| 100 | $5.57242 | $557.242 |
| 500 | $4.51227 | $2256.135 |
| 1000 | $3.80552 | $3805.52 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.