Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

TK4R4P06PL,RQ

TK4R4P06PL,RQ
Увеличить

Только для справки

номер части TK4R4P06PL,RQ
LIXINC Part # TK4R4P06PL,RQ
Производитель Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD TK4R4P06PL,RQ След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

TK4R4P06PL,RQ Технические характеристики

номер части:TK4R4P06PL,RQ
Бренд:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:U-MOSIX-H
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:58A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:4.4mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.5V @ 500µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:48.2 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:3280 pF @ 30 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):87W (Tc)
Рабочая Температура:175°C
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:DPAK
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TK4R4P06PL,RQ Документы

if TK4R4P06PL,RQ PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SQJA20EP-T1_GE3 SQJA20EP-T1_GE3 MOSFET N-CH 200V 22.5A PPAK SO-8 6344

Подробнее о заказе
IPD65R1K4CFDATMA2 IPD65R1K4CFDATMA2 MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3 893

Подробнее о заказе
NVMFS5C468NLWFAFT3G NVMFS5C468NLWFAFT3G MOSFET N-CH 40V 13A/37A 5DFN 963

Подробнее о заказе
IRLR8743TRPBF IRLR8743TRPBF MOSFET N-CH 30V 160A DPAK 890

Подробнее о заказе
IPLK60R600PFD7ATMA1 IPLK60R600PFD7ATMA1 MOSFET N-CH 600V 7A THIN-PAK 5868

Подробнее о заказе
SFW9Z34TM SFW9Z34TM MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK 122312

Подробнее о заказе
AOK095A60 AOK095A60 MOSFET N-CH 600V 38A TO247 1084

Подробнее о заказе
FDS4070N3 FDS4070N3 MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO 15528

Подробнее о заказе
IPB120N04S404ATMA1 IPB120N04S404ATMA1 MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK 14732

Подробнее о заказе
NTE454 NTE454 MOSFET-DUAL GATE N-CH 916

Подробнее о заказе
IPP90R500C3 IPP90R500C3 MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3 987

Подробнее о заказе
SFP9Z24 SFP9Z24 MOSFET P-CH 60V 9.7A TO220-3 4541

Подробнее о заказе
NP82N055MUG-S18-AY NP82N055MUG-S18-AY MOSFET N-CH 55V 82A TO220 1320

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 12597 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.66000$1.66
2500$0.66234$1655.85

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top