Только для справки
| номер части | IPB65R280C6ATMA1 |
| LIXINC Part # | IPB65R280C6ATMA1 |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 650V 13.8A D2PAK |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPB65R280C6ATMA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPB65R280C6ATMA1 |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | CoolMOS™ |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 650 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 13.8A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 280mOhm @ 4.4A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.5V @ 440µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 45 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 950 pF @ 100 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 104W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | D²PAK (TO-263AB) |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| FQD9N25TM | MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK | 4241 Подробнее о заказе |
|
| IXFN220N20X3 | MOSFET N-CH 200V 160A SOT227B | 16174 Подробнее о заказе |
|
| FDMS8672S | MOSFET N-CH 30V 17A/35A 8PQFN | 22364 Подробнее о заказе |
|
| HUFA76409D3S | MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA | 8560 Подробнее о заказе |
|
| HUFA75321S3ST | MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK | 16953 Подробнее о заказе |
|
| NTP8G202NG | GANFET N-CH 600V 9A TO220-3 | 837 Подробнее о заказе |
|
| STW15NM60ND | MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3 | 985 Подробнее о заказе |
|
| SQ4080EY-T1_GE3 | MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO | 3113 Подробнее о заказе |
|
| 2SK1520-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 948 Подробнее о заказе |
|
| EPC2053 | GANFET N-CH 100V 48A DIE | 10251 Подробнее о заказе |
|
| FDC638P | MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6 | 1398 Подробнее о заказе |
|
| SIS322DNT-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8 | 935 Подробнее о заказе |
|
| IXFK420N10T | MOSFET N-CH 100V 420A TO264AA | 1039 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11872 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.05000 | $1.05 |
| 1000 | $1.05000 | $1050 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.