Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPB120N10S403ATMA1

IPB120N10S403ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPB120N10S403ATMA1
LIXINC Part # IPB120N10S403ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB120N10S403ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB120N10S403ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPB120N10S403ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:120A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:3.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.5V @ 180µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:140 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:10120 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):250W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:D²PAK (TO-263AB)
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB120N10S403ATMA1 Документы

if IPB120N10S403ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

PSMN2R2-40BS,118 PSMN2R2-40BS,118 MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK 4036

Подробнее о заказе
DMN6013LFG-7 DMN6013LFG-7 MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333 12875

Подробнее о заказе
FDD4685-F085P FDD4685-F085P PMOS DPAK 40V 27 MOHM 1880

Подробнее о заказе
CMPDM303NH TR CMPDM303NH TR MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23F 836

Подробнее о заказе
SI8823EDB-T2-E1 SI8823EDB-T2-E1 MOSFET P-CH 20V 2.7A 4MICRO FOOT 6141

Подробнее о заказе
SQD25N15-52_GE3 SQD25N15-52_GE3 MOSFET N-CH 150V 25A TO252 8677

Подробнее о заказе
IRF9520PBF-BE3 IRF9520PBF-BE3 MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB 1910

Подробнее о заказе
NTMS4N01R2G NTMS4N01R2G MOSFET N-CH 20V 3.3A 8SOIC 5095

Подробнее о заказе
STP11NK40Z STP11NK40Z MOSFET N-CH 400V 9A TO220AB 1881

Подробнее о заказе
FQA7N80 FQA7N80 MOSFET N-CH 800V 7.2A TO3P 1599

Подробнее о заказе
TJ60S06M3L,LXHQ TJ60S06M3L,LXHQ MOSFET P-CH 60V 60A DPAK 9953

Подробнее о заказе
BFL4036-1E BFL4036-1E MOSFET N-CH 500V 9.6A TO220F-3FS 2487

Подробнее о заказе
APT20M45SVRG APT20M45SVRG MOSFET N-CH 200V 56A D3PAK 804

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10906 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.34658$2.34658
1000$2.32320$2323.2

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top