NVMFS6H818NT1G

NVMFS6H818NT1G
Увеличить

Только для справки

номер части NVMFS6H818NT1G
LIXINC Part # NVMFS6H818NT1G
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD NVMFS6H818NT1G След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NVMFS6H818NT1G Технические характеристики

номер части:NVMFS6H818NT1G
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:Automotive, AEC-Q101
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):80 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:20A (Ta), 123A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:3.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 190µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:46 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:3100 pF @ 40 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):3.8W (Ta), 136W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
упаковка / чехол:8-PowerTDFN, 5 Leads

Продукты, которые могут вас заинтересовать

DMP22D6UT-7 DMP22D6UT-7 MOSFET P-CH 20V 430MA SOT523 998

Подробнее о заказе

BSC012N06NSATMA1 BSC012N06NSATMA1 MOSFET N-CH 60V 100A TSON-8 993

Подробнее о заказе

IRLR8103VPBF IRLR8103VPBF HEXFET POWER MOSFET 9525

Подробнее о заказе

FDA20N50 FDA20N50 MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN 83470

Подробнее о заказе

STP80NF12 STP80NF12 MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB 2606

Подробнее о заказе

RT1A040ZPTR RT1A040ZPTR MOSFET P-CH 12V 4A TSST8 1783

Подробнее о заказе

IXTA1N170DHV IXTA1N170DHV MOSFET N-CH 1700V 1A TO263 1121

Подробнее о заказе

DMT3009UFVW-13 DMT3009UFVW-13 MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI 978

Подробнее о заказе

IAUC120N04S6L012ATMA1 IAUC120N04S6L012ATMA1 IAUC120N04S6L012ATMA1 5994

Подробнее о заказе

NTD4804N-35G NTD4804N-35G MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK 44696

Подробнее о заказе

2SK4125 2SK4125 MOSFET N-CH 600V 17A TO3PB 1397

Подробнее о заказе

FDMA8884 FDMA8884 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI 527923

Подробнее о заказе

SI7139DP-T1-GE3 SI7139DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8 6463

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10837 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.63000$2.63
1500$1.41039$2115.585
3000$1.31313$3939.39
7500$1.26449$9483.675

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top