IPAN60R125PFD7SXKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPAN60R125PFD7SXKSA1 | IPAN60R125PFD7SXKSA1 Inventory, Best Pricing

IPAN60R125PFD7SXKSA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPAN60R125PFD7SXKSA1
LIXINC Part #	IPAN60R125PFD7SXKSA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 650V 25A TO220
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPAN60R125PFD7SXKSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPAN60R125PFD7SXKSA1 Технические характеристики

номер части:	IPAN60R125PFD7SXKSA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	CoolMOS™PFD7
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	25A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	125mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4.5V @ 390µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	36 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1503 pF @ 400 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	32W (Tc)
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	PG-TO220 Full Pack
упаковка / чехол:	TO-220-3 Full Pack

IPD050N03LGBTMA1	MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31	890 Подробнее о заказе
FQPF9N50T	MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220F	11912 Подробнее о заказе
DMN2300UFD-7	MOSFET N-CH 20V 1.21A 3DFN	806 Подробнее о заказе
IXTL2N470	MOSFET N-CH 4700V 2A I5PAK	979 Подробнее о заказе
STH130N8F7-2	MOSFET N-CH 80V 110A H2PAK-2	881 Подробнее о заказе
CSD17552Q3A	MOSFET N-CH 30V 15A/60A 8SON	2260 Подробнее о заказе
MPF4856RLRA	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	12855 Подробнее о заказе
IRLMS6802TRPBF	MOSFET P-CH 20V 5.6A MICRO6	904 Подробнее о заказе
SPD06N60C3BTMA1	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6	10326 Подробнее о заказе
BSS315PH6327XTSA1	MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3	31875 Подробнее о заказе
APTC60DAM18CTG	MOSFET N-CH 600V 143A SP4	957 Подробнее о заказе
IPP65R660CFDXKSA1	MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3	892 Подробнее о заказе
BSZ100N03LSGATMA1	MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON	3166 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$2.73000	$2.73

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015