Только для справки
| номер части | BTS247ZE3062AATMA2 |
| LIXINC Part # | BTS247ZE3062AATMA2 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 55V 33A TO263-5 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | BTS247ZE3062AATMA2 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | BTS247ZE3062AATMA2 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | TEMPFET® |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 55 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 33A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 18mOhm @ 12A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2V @ 90µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 90 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1730 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | Temperature Sensing Diode |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 120W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO263-5-2 |
| упаковка / чехол: | TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB |
| IRFR24N15DTRPBF | MOSFET N-CH 150V 24A DPAK | 2179 Подробнее о заказе |
|
| SCT3030ARC14 | SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L | 1276 Подробнее о заказе |
|
| FQPF1N60 | MOSFET N-CH 600V 900MA TO220F | 837 Подробнее о заказе |
|
| STD60NF55LT4 | MOSFET N-CH 55V 60A DPAK | 3711 Подробнее о заказе |
|
| IPP114N12N3G | IPP114N12 - 12V-300V N-CHANNEL P | 1211 Подробнее о заказе |
|
| AOI296A | MOSFET N-CH 100V 70A TO251A | 887 Подробнее о заказе |
|
| TK20S06K3L(T6L1,NQ | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK | 894 Подробнее о заказе |
|
| IXFH80N25X3 | MOSFET N-CH 250V 80A TO247 | 878 Подробнее о заказе |
|
| PSMN1R0-30YLC,115 | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 | 948 Подробнее о заказе |
|
| XPN12006NC,L1XHQ | MOSFET N-CH 60V 20A 8TSON | 10821 Подробнее о заказе |
|
| DN2535N3-G-P013 | MOSFET N-CH 350V 120MA TO92 | 975 Подробнее о заказе |
|
| BSP300L6327HUSA1 | MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4 | 877 Подробнее о заказе |
|
| RM150N30LT2 | MOSFET N-CH 30V 150A TO220-3 | 964 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10954 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.25750 | $2.2575 |
| 1000 | $2.25750 | $2257.5 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.