NTD85N02R-1G | Rochester Electronics NTD85N02R-1G | NTD85N02R-1G Inventory, Best Pricing

NTD85N02R-1G

Увеличить

Только для справки

номер части	NTD85N02R-1G
LIXINC Part #	NTD85N02R-1G
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 24V 12A/85A IPAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NTD85N02R-1G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NTD85N02R-1G Технические характеристики

номер части:	NTD85N02R-1G
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	24 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	12A (Ta), 85A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	5.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	17.7 nC @ 5 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2.05 pF @ 20 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	1.25W (Ta), 78.1W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	I-PAK
упаковка / чехол:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.27000	$0.27

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015