Только для справки
| номер части | TPN14006NH,L1Q |
| LIXINC Part # | TPN14006NH,L1Q |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | TPN14006NH,L1Q След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | TPN14006NH,L1Q |
| Бренд: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ряд: | U-MOSVIII-H |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 60 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 13A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 6.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 14mOhm @ 6.5A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 200µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 15 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1300 pF @ 30 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 700mW (Ta), 30W (Tc) |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| упаковка / чехол: | 8-PowerVDFN |
| IPB100N06S205ATMA1 | MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2 | 13707 Подробнее о заказе |
|
| FQP46N15 | MOSFET N-CH 150V 45.6A TO220-3 | 1099 Подробнее о заказе |
|
| FQA170N06 | MOSFET N-CH 60V 170A TO3PN | 1149 Подробнее о заказе |
|
| APT50M75JFLL | MOSFET N-CH 500V 51A ISOTOP | 925 Подробнее о заказе |
|
| SQJ409EP-T1_GE3 | MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8 | 832 Подробнее о заказе |
|
| STW45NM60 | MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3 | 963 Подробнее о заказе |
|
| PSMN5R6-100XS | N-CHANNEL POWER MOSFET | 970 Подробнее о заказе |
|
| IRFBG20PBF-BE3 | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB | 1830 Подробнее о заказе |
|
| STF36N60M6 | MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP | 923 Подробнее о заказе |
|
| IPD900P06NMATMA1 | MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252 | 950 Подробнее о заказе |
|
| APT1204R7BFLLG | MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO247 | 1122 Подробнее о заказе |
|
| AUIRL3705ZSTRL | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 2323 Подробнее о заказе |
|
| CSD19533KCS | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | 3307 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10969 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.34155 | $0.34155 |
| 5000 | $0.34155 | $1707.75 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.