Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

FDB8876

FDB8876
Увеличить

Только для справки

номер части FDB8876
LIXINC Part # FDB8876
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 30V 71A TO263AB
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FDB8876 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDB8876 Технические характеристики

номер части:FDB8876
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:PowerTrench®
упаковка:Bulk
статус детали:Obsolete
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:71A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:8.5mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:45 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1.7 pF @ 15 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):70W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:TO-263AB
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDB8876 Документы

if FDB8876 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

STP6N95K5 STP6N95K5 MOSFET N-CH 950V 9A TO220-3 1665

Подробнее о заказе
DMN61D9U-13 DMN61D9U-13 MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3 812

Подробнее о заказе
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3 8229

Подробнее о заказе
IRLR7833TRPBF IRLR7833TRPBF MOSFET N-CH 30V 140A DPAK 6092

Подробнее о заказе
2SK1838L-E 2SK1838L-E N-CHANNEL POWER MOSFET 3631

Подробнее о заказе
STP9NK65ZFP STP9NK65ZFP MOSFET N-CH 650V 6.4A TO220FP 968

Подробнее о заказе
SI3493DDV-T1-GE3 SI3493DDV-T1-GE3 MOSFET P-CHANNEL 20V 8A 6TSOP 2799

Подробнее о заказе
2SK1519-E 2SK1519-E N-CHANNEL POWER MOSFET 1241

Подробнее о заказе
SISA14DN-T1-GE3 SISA14DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8 2754

Подробнее о заказе
SIR880ADP-T1-GE3 SIR880ADP-T1-GE3 MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 2439

Подробнее о заказе
BSC159N10LSFGATMA1 BSC159N10LSFGATMA1 MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON 969

Подробнее о заказе
FDFC2P100 FDFC2P100 MOSFET P-CH 20V 3A SUPERSOT6 116945

Подробнее о заказе
5HN01SS-TL-E 5HN01SS-TL-E MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP3 861

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 18400 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.48000$0.48

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top