IPB100N06S2L05ATMA1 | Rochester Electronics IPB100N06S2L05ATMA1 | IPB100N06S2L05ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB100N06S2L05ATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPB100N06S2L05ATMA1
LIXINC Part #	IPB100N06S2L05ATMA1
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPB100N06S2L05ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPB100N06S2L05ATMA1 Технические характеристики

номер части:	IPB100N06S2L05ATMA1
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	55 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	4.4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	230 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	5.66 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	300W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TO263-3-2
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NDT456P	MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4	9774 Подробнее о заказе
PSMN035-150P	N-CHANNEL POWER MOSFET	995 Подробнее о заказе
UPA2802T1L-E2-AY	MOSFET N-CH 20V 18A 8DFN	210934 Подробнее о заказе
NVMFS5C604NLAFT1G	MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN	922 Подробнее о заказе
PMN48XP,115	MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP	838 Подробнее о заказе
IXTH02N450HV	MOSFET N-CH 4500V 200MA TO247HV	1193 Подробнее о заказе
2SK2738-E	N-CHANNEL POWER MOSFET	1189 Подробнее о заказе
IPD60R600E6ATMA1	COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET	9430 Подробнее о заказе
BUK6213-30C,118-NEX	PFET, 47A I(D), 30V, 0.029OHM, 1	911 Подробнее о заказе
FDS6682	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI	99807 Подробнее о заказе
IRFP17N50LPBF	MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3	1346 Подробнее о заказе
NTHL082N65S3F	MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3	909 Подробнее о заказе
IPP50R399CP	IPP50R399 - 500V COOLMOS N-CHANN	829 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.95000	$0.95

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015